绝缘栅双极晶体管IGBT是由BJT(双极晶体管)和金属氧化物半导体(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合全控电压驱动功率半导体器件，具有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)高输入阻抗和GTR低导通压降的优点。近年来，中国IGBT产业在国家政策的推动和市场的牵引下发展迅速，已经形成了完整的IDM模式和OEM模式的IGBT产业链。IGBT的本土化进程加快，有望摆脱进口依赖。
2018年初，CRRC时代电气公司开发的4500V/3000A压接IGBT成功通过评估，标志着国产大容量压接IGBT从技术验证转入工程应用。
IGBT设备应用广泛，几乎覆盖了社会的方方面面。IGBT设备在中国的市场需求正在大幅增加空。2017年，中国IGBT市场规模为123.65亿元。预计2023年行业整体市场规模将达到330亿元以上。
IGBT模块封装是将多个IGBT集成并封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性。体积更小、效率更高、可靠性更高是IGBT模块的市场需求趋势，需要IGBT模块封装技术的发展和应用。
国内IGBT在设备、材料、芯片设计和晶圆制造方面与国际制造商仍有一定差距。国产IGBT芯片的主要工艺设备和基板必须从国外购买，尤其是大功率模块的封装。在产品功率密度、散热性能、长期可靠性、模块设计创新等方面还有很大的技术差距。但在包装检测后期，由于国内包装检测厂有为国际厂商代工的经验，后期技术差距逐渐缩小。在国家集成电路产业扶持政策的带动下，预计2023年产业规模将达到4346亿元。
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